Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GSID100A120T2P2

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID100A120T2P2
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Three Phase Bridge Rectifier
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 710W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 100A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 200A
Вхотогие емки (Cies) 13.7nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 62 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$137.13 $134.39 $131.70
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FF450R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
$136.75
FS75R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$136
FS150R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
$135.85
FP75R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
$135.34
FP75R12KT4BOSA1
Infineon Technologies
$135.34