Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GSID150A120T2C1

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID150A120T2C1
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Three Phase Bridge Rectifier
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 1087W
Конфигурации Three Phase Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 285A
Вхотогие емки (Cies) 21.2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 68 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$156.18 $153.06 $150.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

VS-GA300TD60S
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$155.67
MWI100-12A8
IXYS
$154.64
DF300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
$154.18
FD300R07PE4B6BOSA1
Infineon Technologies
$154.18
BSM200GA170DLCHOSA1
Infineon Technologies
$152.9