Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

GSID200A170S3B1

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID200A170S3B1
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 1630W
Конфигурации 2 Independent
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело D-3 Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика D3
Vce (на) (Макс) 1.9V @ 15V, 200A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 400A
Вхотогие емки (Cies) 26nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 57 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$141.47 $138.64 $135.87
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FS100R12KT4GB11BOSA1
Infineon Technologies
$140.67
FF300R12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$139.7
FS100R12PT4BOSA1
Infineon Technologies
$139.4
FS100R12KT4GBOSA1
Infineon Technologies
$139.17
FF225R12MS4BOSA1
Infineon Technologies
$139.12