Image is for reference only , details as Specifications

GSID600A120S4B1

Производителей: Global Power Technologies Group
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: GSID600A120S4B1
Описание: SILICON IGBT MODULES
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Global Power Technologies Group
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии Amp+™
Тип IGBT -
Статус части Active
Мощность - Макс 3060W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор Yes
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 150°C
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.1V @ 15V, 600A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 1130A
Вхотогие емки (Cies) 51nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 61 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$167.23 $163.89 $160.61
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

F3L400R07ME4B22BOSA1
Infineon Technologies
$166.68
F3L400R07ME4B23BOSA1
Infineon Technologies
$166.68
FF300R17ME3BOSA1
Infineon Technologies
$165.26
IFF300B12N2E4PB11BPSA1
Infineon Technologies
$163.28
VS-GB400AH120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$162.51