Image is for reference only , details as Specifications

IXFH18N100Q3

Производителей:	IXYS
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IXFH18N100Q3
Описание:	MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	IXYS
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	HiPerFET™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Vgs (th) (Max)	6.5V @ 4mA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	660mOhm @ 9A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	830W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-247AD (IXFH)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	90nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4890pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	18A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V