Image is for reference only , details as Specifications
IXFN66N50Q2
| Производителей: | IXYS |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IXFN66N50Q2 |
| Описание: | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | IXYS |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | HiPerFET™ |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Tube |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Пакет / Дело | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs (th) (Max) | 4.5V @ 8mA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 80mOhm @ 500mA, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 735W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | SOT-227B |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 199nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 500V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 6800pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 66A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
