IXFN82N60Q3
Производителей: | IXYS |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IXFN82N60Q3 |
Описание: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | IXYS |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | HiPerFET™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Chassis Mount |
Пакет / Дело | SOT-227-4, miniBLOC |
Vgs (th) (Max) | 6.5V @ 8mA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 75mOhm @ 41A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 960W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | SOT-227B |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 275nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 600V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 13500pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 66A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 24 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$41.76 | $40.92 | $40.11 |
Минимальный: 1