Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTA1R4N120P

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTA1R4N120P
Описание: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Polar™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 100µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 13Ohm @ 500mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 86W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-263 (IXTA)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 24.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 666pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 65 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.24 $3.18 $3.11
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

TK20A60W5,S5VX
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.35
IPA030N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
$3.35
FCH110N65F-F155
ON Semiconductor
$3.35
FDPF4D5N10C
ON Semiconductor
$3.33
FDMT800152DC
ON Semiconductor
$0