Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTA1R6N100D2

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTA1R6N100D2
Описание: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии -
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET Depletion Mode
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) -
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
Рассеивание мощности (Макс) 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-263 (IXTA)
Заряд ворот (Кг) (Макс) 27nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 645pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 23 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.30 $2.25 $2.21
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IXTP12N65X2M
IXYS
$2.29
IXFP12N65X2M
IXYS
$2.29
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
$2.29
IXTA170N075T2
IXYS
$2.29
IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies
$2.29