IXTA1R6N100D2HV
Производителей: | IXYS |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IXTA1R6N100D2HV |
Описание: | MOSFET N-CH |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | IXYS |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | Depletion Mode |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) | 4.5V @ 100µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
Рассеивание мощности (Макс) | 100W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-263HV |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 27nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1000V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 645pF @ 10V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 1.6A (Tj) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 0V |
На складе 62 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.59 | $2.54 | $2.49 |
Минимальный: 1