Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTA3N100D2

Производителей:	IXYS
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IXTA3N100D2
Описание:	MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	IXYS
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Depletion Mode
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max)	-
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Рассеивание мощности (Макс)	125W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-263 (IXTA)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	37.5nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	1020pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	3A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	-