IXTH1N200P3
Производителей: | IXYS |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IXTH1N200P3 |
Описание: | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | IXYS |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Through Hole |
Пакет / Дело | TO-247-3 |
Vgs (th) (Max) | 4V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 40Ohm @ 500mA, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 125W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-247 (IXTH) |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 23.5nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 2000V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 646pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 1A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 83 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$6.02 | $5.90 | $5.78 |
Минимальный: 1