Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

IXTH200N10T

Производителей:	IXYS
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IXTH200N10T
Описание:	MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	IXYS
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	TrenchMV™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±30V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Through Hole
Пакет / Дело	TO-247-3
Vgs (th) (Max)	4.5V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	5.5mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	550W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-247 (IXTH)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	152nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	9400pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	200A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V