Image is for reference only , details as Specifications
IXTI10N60P
| Производителей: | IXYS |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | IXTI10N60P |
| Описание: | MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | IXYS |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | PolarHV™ |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Tube |
| Vgs (Макс) | ±30V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | - |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Пакет / Дело | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs (th) (Max) | 5V @ 100µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 740mOhm @ 5A, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 200W (Tc) |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 (I2PAK) |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 32nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 600V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1610pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10A (Tc) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
