Image is for reference only , details as Specifications

IXTP1R4N100P

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: IXTP1R4N100P
Описание: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии Polar™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tube
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Through Hole
Пакет / Дело TO-220-3
Vgs (th) (Max) 4.5V @ 50µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 11Ohm @ 500mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 63W (Tc)
Пакет устройств поставщика TO-220AB
Заряд ворот (Кг) (Макс) 17.8nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 450pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.4A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 84 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.88 $1.84 $1.81
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

NVMTS0D6N04CLTXG
ON Semiconductor
$1.87
FCP190N65F
ON Semiconductor
$1.87
IPL65R165CFDAUMA2
Infineon Technologies
$1.86
IPL65R165CFDAUMA1
Infineon Technologies
$1.86
TK72E12N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.86