IXTT10N100D2
Производителей: | IXYS |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | IXTT10N100D2 |
Описание: | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267 |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | IXYS |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | - |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Tube |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | Depletion Mode |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Vgs (th) (Max) | - |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 695W (Tc) |
Пакет устройств поставщика | TO-268 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 200nC @ 5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 1000V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 5320pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 10A (Tc) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 10V |
На складе 96 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$10.51 | $10.30 | $10.09 |
Минимальный: 1