Image is for reference only , details as Specifications

IXTY1R6N100D2

Производителей:	IXYS
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	IXTY1R6N100D2
Описание:	MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	IXYS
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	-
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tube
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Depletion Mode
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max)	-
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10Ohm @ 800mA, 0V
Рассеивание мощности (Макс)	100W (Tc)
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Заряд ворот (Кг) (Макс)	27nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	1000V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	645pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	1.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	-