Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

MKI50-12F7

Производителей: IXYS
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: MKI50-12F7
Описание: MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя IXYS
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT NPT
Статус части Active
Мощность - Макс 350W
Конфигурации Full Bridge Inverter
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело E2
Номер базовой части MKI
Операционная температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет устройств поставщика E2
Vce (на) (Макс) 3.8V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 65A
Вхотогие емки (Cies) 3.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 700µA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 67 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$82.24 $80.60 $78.98
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MIXA80W1200TEH
IXYS
$81.7
BSM100GAL120DLCKHOSA1
Infineon Technologies
$81.22
FF100R12KS4HOSA1
Infineon Technologies
$81.11
VS-GB75TP120U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$80.99
MIXA60WB1200TEH
IXYS
$80.98