Image is for reference only , details as Specifications
AUIRF7341Q
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | AUIRF7341Q |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | HEXFET® |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Упаковки | Tube |
| Функция FET | Logic Level Gate |
| Статус части | Obsolete |
| Мощность - Макс | 2.4W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) | 3V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 50mOhm @ 5.1A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 44nC @ 10V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 55V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 780pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 5.1A |
На складе 61 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds