Image is for reference only , details as Specifications

BCR196WE6327HTSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	BCR196WE6327HTSA1
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Obsolete
Мощность - Макс	250mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	SC-70, SOT-323
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Номер базовой части	BCR196
Сопротивление - База (R1)	47 kOhms
Частота - Переход	150MHz
Пакет устройств поставщика	PG-SOT323-3
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	22 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	70mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	50 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V