Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BCR35PNH6327XTSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Лист данных:	BCR35PNH6327XTSA1
Описание:	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Digi-Reel®
Статус части	Last Time Buy
Мощность - Макс	250mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Номер базовой части	BCR35PN
Сопротивление - База (R1)	10kOhms
Частота - Переход	150MHz
Пакет устройств поставщика	PG-SOT363-6
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	47kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	100mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	-
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	70 @ 5mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V