Image is for reference only , details as Specifications

BCR553E6327HTSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Лист данных:	BCR553E6327HTSA1
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 300MW SOT23-3
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Серии	-
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Статус части	Last Time Buy
Мощность - Макс	330mW
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased
Сопротивление - База (R1)	2.2 kOhms
Частота - Переход	150MHz
Пакет устройств поставщика	SOT-23-3
Сопротивление - База Эмиттера (R2)	2.2 kOhms
Vce Насыщенность (Макс) иб, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс)	500mA
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс)	100nA (ICBO)
DC Текущий прирост (hFE) (Мин) и Ic, Vce	40 @ 50mA, 5V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс)	50V