Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSB056N10NN3GXUMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSB056N10NN3GXUMA1
Описание: MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 3-WDSON
Vgs (th) (Max) 3.5V @ 100µA
Операционная температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Пакет устройств поставщика MG-WDSON-2, CanPAK M™
Заряд ворот (Кг) (Макс) 74nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 5500pF @ 50V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9A (Ta), 83A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 6V, 10V

На складе 22730 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FQPF15P12
ON Semiconductor
$1.47
VP0808L-G
Lanka Micro
$1.47
IRF644PBF
Vishay / Siliconix
$1.45
STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
$0
IRL2203NPBF
Infineon Technologies
$1.44