Image is for reference only , details as Specifications

BSB104N08NP3GXUSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSB104N08NP3GXUSA1
Описание:	MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	3-WDSON
Vgs (th) (Max)	3.5V @ 40µA
Операционная температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	10.4mOhm @ 10A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Пакет устройств поставщика	MG-WDSON-2, CanPAK M™
Заряд ворот (Кг) (Макс)	31nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	80V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2100pF @ 40V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	13A (Ta), 50A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	10V