Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSC010NE2LSATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSC010NE2LSATMA1
Описание: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 1mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-7
Заряд ворот (Кг) (Макс) 64nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 4700pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 39A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 9994 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FDMC86102L
ON Semiconductor
$0
FDMC86102LZ
ON Semiconductor
$0
BUK9612-55B,118
Nexperia USA Inc.
$0
FDMS7660AS
ON Semiconductor
$0
IRF7450TRPBF
Infineon Technologies
$0