Image is for reference only , details as Specifications

BSC019N02KSGAUMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSC019N02KSGAUMA1
Описание:	MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±12V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Not For New Designs
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	1.2V @ 350µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.95mOhm @ 50A, 4.5V
Рассеивание мощности (Макс)	2.8W (Ta), 104W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-1
Заряд ворот (Кг) (Макс)	85nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	20V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	13000pF @ 10V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	30A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.5V, 4.5V