BSC019N06NSATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Лист данных: | BSC019N06NSATMA1 |
Описание: | DIFFERENTIATED MOSFETS |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Серии | OptiMOS™ |
Тип FET | N-Channel |
Упаковки | Digi-Reel® |
Vgs (Макс) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Функция FET | - |
Статус части | Active |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) | 3.3V @ 74µA |
Операционная температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 10V |
Рассеивание мощности (Макс) | 136W (Ta) |
Пакет устройств поставщика | PG-TDSON-8 FL |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 77nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 5.25nF @ 30V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 100A (Ta) |
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 6V, 10V |
На складе 4463 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1