Image is for reference only , details as Specifications

BSC028N06NSTATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSC028N06NSTATMA1
Описание:	DIFFERENTIATED MOSFETS
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	3.3V @ 50µA
Операционная температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	3W (Ta), 100W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-7
Заряд ворот (Кг) (Макс)	49nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	3375pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	24A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V