Image is for reference only , details as Specifications

BSC039N06NSATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSC039N06NSATMA1
Описание:	MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	2.8V @ 36µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	3.9mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-6
Заряд ворот (Кг) (Макс)	27nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2000pF @ 30V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	19A (Ta), 100A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V