Image is for reference only , details as Specifications

BSC077N12NS3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSC077N12NS3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 120V 98A 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 4V @ 110µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 7.7mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 139W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-1
Заряд ворот (Кг) (Макс) 88nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 120V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 5700pF @ 60V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 13.4A (Ta), 98A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 4455 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSC028N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC010N04LSTATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB020N04NGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF6715MTRPBF
Infineon Technologies
$0