Image is for reference only , details as Specifications

BSC084P03NS3EGATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSC084P03NS3EGATMA1
Описание:	MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	P-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±25V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	3V @ 110µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	8.4mOhm @ 50A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Заряд ворот (Кг) (Макс)	57.7nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	4240pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	6V, 10V