Image is for reference only , details as Specifications

BSC16DN25NS3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSC16DN25NS3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 4V @ 32µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 165mOhm @ 5.5A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 62.5W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-5
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 250V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 920pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 10.9A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 8921 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SI7456DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI4421DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI7456DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
BSZ16DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
STD4N80K5
STMicroelectronics
$0