Image is for reference only , details as Specifications

BSC900N20NS3GATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSC900N20NS3GATMA1
Описание: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 4V @ 30µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 90mOhm @ 7.6A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 62.5W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 11.6nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 920pF @ 100V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 15.2A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 95 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.70 $0.69 $0.67
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPB034N06L3GATMA1
Infineon Technologies
$0
IPB034N03LGATMA1
Infineon Technologies
$0
BSC070N10NS5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRF1010ZSTRLPBF
Infineon Technologies
$0
IPB80N03S4L03ATMA1
Infineon Technologies
$0