Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов
BSG0810NDIATMA1
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Лист данных: | BSG0810NDIATMA1 |
| Описание: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Серии | OptiMOS™ |
| Тип FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Функция FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Статус части | Active |
| Мощность - Макс | 2.5W |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | 8-PowerTDFN |
| Vgs (th) (Max) | 2V @ 250µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Пакет устройств поставщика | PG-TISON-8 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 8.4nC @ 4.5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 25V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1040pF @ 12V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 19A, 39A |
На складе 80 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.04 | $1.02 | $1.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds
