BSG0813NDIATMA1
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | BSG0813NDIATMA1 |
Описание: | MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | - |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Упаковки | Tape & Reel (TR) |
Функция FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Статус части | Active |
Мощность - Макс | 2.5W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) | 2V @ 250µA |
Операционная температура | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
Пакет устройств поставщика | PG-TISON-8 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 8.4nC @ 4.5V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 25V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 1100pF @ 12V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 19A, 33A |
На складе 56 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.95 | $0.93 | $0.91 |
Минимальный: 1