Image is for reference only , details as Specifications

BSM150GB170DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM150GB170DN2HOSA1
Описание: MODULE IGBT 1700V
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 1250W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.9V @ 15V, 150A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 220A
Вхотогие емки (Cies) 20nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1.5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 79 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM100GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0
NXH80T120L2Q0SG
ON Semiconductor
$0
FZ800R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
$0
FZ800R33KL2CNOSA1
Infineon Technologies
$0
FZ1200R33KL2CB5NOSA1
Infineon Technologies
$0