Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM35GB120DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM35GB120DN2HOSA1
Описание: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 280W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.2V @ 15V, 35A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 50A
Вхотогие емки (Cies) 2nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 65 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$63.26 $61.99 $60.75
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

FP25R12KT4B15BOSA1
Infineon Technologies
$63.18
VS-GB90DA60U
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$63.05
FP30R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$62.64
MUBW20-06A7
IXYS
$62.63
MUBW25-12T7
IXYS
$62.54