Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSM50GAL120DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM50GAL120DN2HOSA1
Описание: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 400W
Конфигурации Single Switch
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3V @ 15V, 50A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 78A
Вхотогие емки (Cies) 3.3nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 52 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$66.05 $64.73 $63.43
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MIXA60W1200TED
IXYS
$65.86
DF75R12W1H4FB11BOMA2
Infineon Technologies
$65.23
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Infineon Technologies
$65.23
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
$65.23
DF80R12W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
$65.23