Image is for reference only , details as Specifications

BSM75GAR120DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM75GAR120DN2HOSA1
Описание: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT Trench Field Stop
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 235W
Конфигурации Single
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 2.2V @ 15V, 15A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 30A
Вхотогие емки (Cies) 1nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 400µA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 66 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$74.79 $73.29 $71.83
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM75GAL120DN2HOSA1
Infineon Technologies
$74.79
MUBW35-12A7
IXYS
$74.76
F43L50R07W2H3FB11BPSA2
Infineon Technologies
$74.71
DDB6U100N16RRBOSA1
Infineon Technologies
$74.67
VS-GB100LP120N
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$74.34