Image is for reference only , details as Specifications

BSM75GB120DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM75GB120DN2HOSA1
Описание: IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Not For New Designs
Мощность - Макс 625W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3V @ 15V, 75A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 105A
Вхотогие емки (Cies) 5.5nF @ 25V
Текущий - Коллектор Отсечение (Макс) 1.5mA
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1200V

На складе 94 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$83.01 $81.35 $79.72
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

MWI75-06A7T
IXYS
$82.32
MIXA80WB1200TEH
IXYS
$89.28
VS-40MT120UHTAPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$89.03
FP15R12KS4CBOSA1
Infineon Technologies
$88.61
F450R12KS4BOSA1
Infineon Technologies
$94.34