Image is for reference only , details as Specifications

BSM75GB170DN2HOSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - IGBTs - Modules
Лист данных: BSM75GB170DN2HOSA1
Описание: IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - IGBTs - Modules
Вход Standard
Серии -
Тип IGBT -
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 625W
Конфигурации Half Bridge
Тип монтажа Chassis Mount
NTC Термистор No
Пакет / Дело Module
Операционная температура 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика Module
Vce (на) (Макс) 3.9V @ 15V, 75A
Текущий - Коллектор (Ic) (Макс) 110A
Вхотогие емки (Cies) 11nF @ 25V
Напряжение - Коллектор Излучатель Разбивка (Макс) 1700V

На складе 73 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSM50GB170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0
FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
$0
FA300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$0
VS-GA100TS60SF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GA200HS60S1
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0