Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSO615N

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSO615N
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии SIPMOS®
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Cut Tape (CT)
Функция FET Logic Level Gate
Статус части Obsolete
Мощность - Макс 2W
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Номер базовой части BSO615
Vgs (th) (Max) 2V @ 20µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Пакет устройств поставщика PG-DSO-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 20nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 380pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 2.6A

На складе 62 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSO612CV
Infineon Technologies
$0
BSO4804
Infineon Technologies
$0
BSO215C
Infineon Technologies
$0
BSO207PNTMA1
Infineon Technologies
$0
BSO204PNTMA1
Infineon Technologies
$0