BSO615N
Производителей: | Infineon Technologies |
---|---|
Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Лист данных: | BSO615N |
Описание: | MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC |
Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Производителя | Infineon Technologies |
Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Серии | SIPMOS® |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) |
Упаковки | Cut Tape (CT) |
Функция FET | Logic Level Gate |
Статус части | Obsolete |
Мощность - Макс | 2W |
Тип монтажа | Surface Mount |
Пакет / Дело | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Номер базовой части | BSO615 |
Vgs (th) (Max) | 2V @ 20µA |
Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Макс) - Id, Vgs | 150mOhm @ 2.6A, 4.5V |
Пакет устройств поставщика | PG-DSO-8 |
Заряд ворот (Кг) (Макс) | 20nC @ 10V |
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 60V |
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 380pF @ 25V |
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 2.6A |
На складе 62 pcs
Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1