Image is for reference only , details as Specifications

BSP123E6327T

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSP123E6327T
Описание:	MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	SIPMOS®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Cut Tape (CT)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Obsolete
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max)	1.8V @ 50µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	6Ohm @ 370mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.79W (Ta)
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Заряд ворот (Кг) (Макс)	2.4nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	100V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	70pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	370mA (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	2.8V, 10V