Image is for reference only , details as Specifications
BSP149 E6327
| Производителей: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Категория продукции: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Лист данных: | BSP149 E6327 |
| Описание: | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 |
| Статус RoHS: | RoHS Совместимый |
| Атрибут | Значение атрибута |
|---|---|
| Производителя | Infineon Technologies |
| Категория продукции | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Серии | SIPMOS® |
| Тип FET | N-Channel |
| Упаковки | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Макс) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Функция FET | Depletion Mode |
| Статус части | Obsolete |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Пакет / Дело | TO-261-4, TO-261AA |
| Vgs (th) (Max) | 1V @ 400µA |
| Операционная температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Макс) - Id, Vgs | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
| Рассеивание мощности (Макс) | 1.8W (Ta) |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT223-4 |
| Заряд ворот (Кг) (Макс) | 14nC @ 5V |
| Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) | 200V |
| Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds | 430pF @ 25V |
| Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию | 660mA (Ta) |
| Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) | 0V, 10V |
На складе 80 pcs
| Цена рефранса ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Минимальный: 1
Запрос Цитата
Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее
Bargain Finds