Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSP149H6327XTSA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSP149H6327XTSA1
Описание:	MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	SIPMOS®
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Digi-Reel®
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	Depletion Mode
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max)	1V @ 400µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.8Ohm @ 660mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	1.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика	PG-SOT223-4
Заряд ворот (Кг) (Макс)	14nC @ 5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	200V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	430pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	660mA (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	0V, 10V