Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSP295E6327

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSP295E6327
Описание: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии SIPMOS®
Тип FET N-Channel
Упаковки Cut Tape (CT)
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Obsolete
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) 1.8V @ 400µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 300mOhm @ 1.8A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 1.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика PG-SOT223-4
Заряд ворот (Кг) (Макс) 17nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 60V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 368pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 1.8A (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 54 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSP129E6327
Infineon Technologies
$0
BSP123L6327HTSA1
Infineon Technologies
$0
BSS119E6327
Infineon Technologies
$0
SPW20N60S5FKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP20N60S5
Infineon Technologies
$0