Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSP299H6327XUSA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSP299H6327XUSA1
Описание: MOSFET N-CH 500V 0.4A SOT-223
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии SIPMOS®
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Not For New Designs
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело TO-261-4, TO-261AA
Vgs (th) (Max) 4V @ 1mA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 4Ohm @ 400mA, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 1.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика PG-SOT223-4
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 500V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 400pF @ 25V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 400mA (Ta)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 10V

На складе 23129 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

BSC067N06LS3GATMA1
Infineon Technologies
$0
SI7386DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
NTD5802NT4G
ON Semiconductor
$0
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
$0