Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSZ018NE2LSATMA1

Производителей:	Infineon Technologies
Категория продукции:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных:	BSZ018NE2LSATMA1
Описание:	MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Статус RoHS:	RoHS Совместимый

Атрибут	Значение атрибута
Производителя	Infineon Technologies
Категория продукции	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии	OptiMOS™
Тип FET	N-Channel
Упаковки	Tape & Reel (TR)
Vgs (Макс)	±20V
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET	-
Статус части	Active
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет / Дело	8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max)	2V @ 250µA
Операционная температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs	1.8mOhm @ 30A, 10V
Рассеивание мощности (Макс)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Пакет устройств поставщика	PG-TSDSON-8-FL
Заряд ворот (Кг) (Макс)	39nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss)	25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds	2800pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию	23A (Ta), 40A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On)	4.5V, 10V