Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSZ060NE2LSATMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Лист данных: BSZ060NE2LSATMA1
Описание: MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Серии OptiMOS™
Тип FET N-Channel
Упаковки Digi-Reel®
Vgs (Макс) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Функция FET -
Статус части Active
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Рассеивание мощности (Макс) 2.1W (Ta), 26W (Tc)
Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8-FL
Заряд ворот (Кг) (Макс) 9.1nC @ 10V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 25V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 670pF @ 12V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 12A (Ta), 40A (Tc)
Драйв Напряжение (Макс Rds On, Мин Rds On) 4.5V, 10V

На складе 6203 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
$0
SI3473CDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIA433EDJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
PSMN017-60YS,115
Nexperia USA Inc.
$0
IRFM120ATF
ON Semiconductor
$0