Изображение предназначено только для справки, См. Спецификации продуктов

BSZ0910NDXTMA1

Производителей: Infineon Technologies
Категория продукции: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Лист данных: BSZ0910NDXTMA1
Описание: DIFFERENTIATED MOSFETS
Статус RoHS: RoHS Совместимый
Атрибут Значение атрибута
Производителя Infineon Technologies
Категория продукции Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Серии OptiMOS™
Тип FET 2 N-Channel (Dual)
Упаковки Digi-Reel®
Функция FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Статус части Active
Мощность - Макс 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет / Дело 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) 2V @ 250µA
Операционная температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Макс) - Id, Vgs 9.5mOhm @ 9A, 10V
Пакет устройств поставщика PG-WISON-8
Заряд ворот (Кг) (Макс) 5.6nC @ 4.5V
Слейте воду в исходное напряжение (Vdss) 30V
Входная конденсация (Ciss) (Max) и Vds 800pF @ 15V
Ток - Непрерывная дренажная (id) - 25 градусов по Цельсию 9.5A (Ta), 25A (Tc)

На складе 4937 pcs

Цена рефранса ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Минимальный: 1

Запрос Цитата

Заполните ниже форму, и мы свяжемся с вами как можно скорее

Bargain Finds

IPG20N04S4L11AATMA1
Infineon Technologies
$0
BSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies
$0
IRF7342TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF7317TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRF9910TRPBF
Infineon Technologies
$0